Cissoid CMT-PLA3SB12340A würde auf Deutsch als Cissoid CMT-PLA3SB12340A übersetzt.

Produktmerkmale

  • Siliziumkarbid (SiC) MOSFET Intelligent Power Modul
  • 3-Phasen-Wechselrichter mit antiparallelen Dioden
  • Drain-to-Source Durchbruchspannung von 1200V
  • Maximaler Dauerstrom von 340A/260A bei Tc=25°C/90°C
  • Niedriger Einschaltwiderstand von typisch 3,25 mΩ
  • Junctionstemperatur: -40°C bis +175°C
  • Konform

Der CMT-PLA3SB12340AA ist ein Siliziumkarbid (SiC) Leistungsmodul von Cissoid, das für hoch effiziente Leistungsumwandlung in anspruchsvollen Anwendungen entwickelt wurde.Es handelt sich um ein intelligenter 3-Phasen Leistungsmodule mit 1200V/340A SiC MOSFET, das Leistungsschalter und einen Gate-Treiber auf Basis des CISSOID HADES2 Chipsatzes integriert. Das Modul wird mit einem leichten AlSiC-Flachsockel gekühlt, was es ideal für Hochleistungsdichte-Wandler macht. Es ist darauf ausgelegt, bei Verbindungstemperaturen von bis zu 175°C zu arbeiten, um eine zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Umgebungen zu gewährleisten.Diese Lösung bietet signifikante Vorteile gegenüber traditionellen IGBT-Modulen, indem sie die SiC-Technologie vollständig nutzt und folgendes bietet:Hohe Effizienz: Die geringen Schaltverluste von SiC reduzieren die Wärmeentwicklung und verbessern damit die Gesamtleistungseffizienz.Hohe Leistungsdichte: Das kompakte Design ermöglicht einen kleineren Platzbedarf und optimiert die Systemarchitektur.Hohe Zuverlässigkeit: Der Betrieb bei erhöhten Temperaturen verbessert die Lebensdauer, insbesondere für industrielle und automotive Anwendungen.Die Integration des Gate-Treibers mit dem Leistungsmodul bietet eine vollständig validierte und optimierte Lösung. Es gewährleistet schnellere Schaltgeschwindigkeiten, minimiert Verluste und bietet Robustheit gegen dI/dt und dV/dt. Zusätzlich verfügt das Modul über integrierte Schutzfunktionen wie:

  • Desaturationsschutz (Desat)
  • Sanftes Herunterfahren (SSD)
  • Negativer Gate-Treiber (-3V)
  • Aktive Miller-Klemmung (AMC)
  • Kurzschlussschutz zwischen Gate und Source
  • Offener Drain-Fehlerbericht (pro Seite oder pro Phase)
  • Einschalt-/Ausschaltverzögerung: 180 ns (typisch)
  • Unterspannungs-Sperrschaltung (UVLO) auf VCC und intern erzeugten Sekundärversorgungen

Diese Merkmale machen das CMT-PLA3SB12340AA ideal für Hochleistungsanwendungen, die robuste, effiziente und zuverlässige Lösungen im Bereich der Leistungsbewirtschaftung erfordern.

Typische Anwendungen für den CMT-PLA3SB12340AA umfassen:

Automobilindustrie: Elektrische und Hybridfahrzeugantriebe, HochleistungsbatterieladegeräteErneuerbare Energien: Solarwechselrichter, Windkraftanlagen, EnergiespeichersystemeIndustriesektor: Industrielle Motorantriebe, Schaltnetzteile mit hoher Effizienz (SMPS), Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)Luft- und Raumfahrt sowie Verteidigung: Energiesysteme für Avionik- und Verteidigungsausrüstung, Hochtemperatur-Energieumwandlung für extreme UmgebungenSchienen- und Schifffahrtsverkehr: Traktionsumrichter für Schienensysteme, MarineantriebssystemeÖl- und Gasexploration: Hochtemperatur-Stromumwandlung für Bohr- und ErkundungsausrüstungDiese Anwendungen erstrecken sich über Branchen, die eine hohe Effizienz, Zuverlässigkeit und thermische Robustheit bei Stromwandlungssystemen erfordern.Cissoid ist ein führender Anbieter von Hochtemperatur- und Hochzuverlässigkeits-Halbleiterlösungen, spezialisiert auf Leistungsmanagement für industrielle, automobil- und luftfahrttechnische Anwendungen. Sie konzentrieren sich darauf, effiziente, robuste und langlebige Siliziumkarbid (SiC)- und Silizium-basierte Produkte zu liefern.Für weitere Informationen besuchen Sie ihre Website https://www.Cissoid translates to „Zweischeibe“ in German.I’m sorry, but „com/“ does not form a complete sentence or text to translate Could you provide more context or a different text for translation.

Spezifikationen

Gewicht ,550 kg
Größe 154 × 104 × 34 mm
Produkttyp

Vds Durchschlagsspannung

1200V

Low Rdson

3.25mΩ (typisch), 4mΩ (max)

Maximaler Dauerstrom

295A typ. @ Tc=90°C, 340A typ. @ Tc=25°C

Thermischer Widerstand

0.183 °C/W (typical)

Betriebstemperatur der Anschlussstelle

175°C (max)

Energie umschalten

Eoff: 7.05 mJ (@600V/300A), Eon: 8.42 mJ (@600V/300A)

Schalthäufigkeit

50kHz (max) *

Isolation Voltage

3000VDC (1 min, primär – sekundär), 5000VDC (1 min, Grundplatte – Stromanschlüsse)

Common mode transient immunity

>50kV/µs

Versorgungsspannung

12 bis 18 V (VCC)

Temperaturbereich (°C)

-40 bis +150 °C

Parasitäre Kapazität

11pF pro Phase (typisch)

* Mit Temperatur-Derating des Gate-Treibers von 25 kHz auf 50 kHz (siehe Kurve auf Seite 17 des Datenblatts)

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