Industrial

  • Merit Sensor

Merit Sensor RSH Serie

  • โ€‹Unkompensierter Drucksensor mit MEMS-Die-auf-Druckport-Design.
  • Kompatibel mit feuchten und aggressiven Medien.
  • Geeignet fรผr groรŸe Temperatur- und Druckbereiche.
  • Druckbereich 0 bis 500 psi (absolut oder relativ).
  • Betriebstemperaturbereich -40ยฐC bis 150ยฐC
  • Merit Sensor

Merit Sensor TRVF Serie

Merit Sensors Drucksensor der Serie TRVF
  • Vollstรคndig kompensierter Drucksensor.
  • Berรผhrte Materialien wie Silizium, Glas und Keramik erhรถhen die Kompatibilitรคt mit aggressiven Medien.
  • Kompakt und leicht, mit einem Gewicht von etwa 1,35 Gramm.
  • Entwickelt zur Messung von Druck in Luft, Gasen und Flรผssigkeiten.
  • Druckbereich von 1 bis 300 psi verfรผgbar (absolut oder relativ).
  • Betriebstemperaturbereich von -40ยฐC bis 150ยฐC.
  • RARA

RARA SMW Serie

  • Hochleistungs-Drahtwiderstรคnde zur Oberflรคchenmontage
  • Verfรผgbare Leistungsstufen: 2W, 3W und 5W
  • GroรŸer Widerstandsbereich: 0,1ฮฉ bis 500ฮฉ
  • Prรคzise Toleranzen: ยฑ1 % & ยฑ5 %
  • Temperaturkoeffizient: 200 ppm/ยฐC
  • Flammhemmendes UL94V0-gehรคuse fรผr hohe Sicherheit
  • Cissoid

Cissoid CMT-PLA3SB12340A wรผrde auf Deutsch als Cissoid CMT-PLA3SB12340A รผbersetzt.

  • Siliziumkarbid (SiC) MOSFET Intelligent Power Modul
  • 3-Phasen-Wechselrichter mit antiparallelen Dioden
  • Drain-to-Source Durchbruchspannung von 1200V
  • Maximaler Dauerstrom von 340A/260A bei Tc=25ยฐC/90ยฐC
  • Niedriger Einschaltwiderstand von typisch 3,25 mฮฉ
  • Junctionstemperatur: -40ยฐC bis +175ยฐC
  • SRT Microcรฉramique

SRT Microcรฉramique Niederspannung Hohe Kapazitรคt X7R Kondensatoren

  • Hohe Kapazitรคt SMD Kondensatoren
  • Kapazitรคt von 1,0ยตF bis 47ยตF
  • TCR von ยฑ15% bei 0V Gleichstrom
  • Spannungen von 4V bis 100V
  • IR 25ยฐC/Un 10โดMฮฉ / 500ฮฉ-Farad, je nachdem, welcher Wert kleiner ist *
  • Dielektrikum X7R
  • Betriebstemperaturen von -55ยฐC bis +125ยฐC **
  • SRT Microcรฉramique

SRT Microcรฉramique Niederspannung Hohe Kapazitรคt X6S Kondensatoren

  • Hochkapazitive SMD-Kondensatoren
  • Kapazitรคt von 1,0ยตF bis 330ยตF
  • Temperaturkoeffizient von ยฑ22% bei 0V DC angelegt
  • Spannungen von 2,5V bis 50V
  • Isolationswiderstand 25ยฐC/Un 10โดMฮฉ / 500ฮฉ-Farad je nachdem, was niedriger ist *
  • Dielektrikum X6S
  • Betriebstemperaturen von -55ยฐC bis +105ยฐC
  • SRT Microcรฉramique

SRT Microcรฉramique Niederspannung Hohe Kapazitรคt X7T Kondensatoren

  • Hochkapazitive SMD-Kondensatoren
  • Kapazitรคt von 1,0 ยตF bis 100 ยตF
  • Temperaturkoeffizient des Widerstands von +22% -33% bei 0 V Gleichspannung angelegt
  • Spannungsbereich von 2,5 V bis 100 V
  • IR 25ยฐC/Un 10โดMฮฉ / 500ฮฉ-Farad, je nachdem welcher Wert kleiner ist *
  • Dielektrikum X7T
  • Betriebstemperaturen von -55ยฐC bis +125ยฐC
  • SRT Microcรฉramique

SRT Microcรฉramique Niederspannungs Hochkapazitรคts X5R Kondensatoren

  • Hochkapazitive SMD-Kondensatoren
  • Kapazitรคt von 1,0ยตF bis 330ยตF
  • TCR von ยฑ15% bei 0V Gleichspannung
  • Spannungen von 4V bis 50V
  • IR 25ยฐC/Un 10โดMฮฉ / 500ฮฉ-Farad, je nachdem, welcher Wert niedriger ist *
  • Dielektrikum X5R
  • Betriebstemperaturen von -55ยฐC bis +85ยฐC
  • SRT Microcรฉramique

SRT Microcรฉramique Niederspannungs Hochkapazitรคts X7S Kondensatoren

  • SMD-Kondensatoren mit hoher Kapazitรคt
  • Kapazitรคt von 1,0 ยตF bis 100 ยตF
  • TCR von ยฑ22 % bei 0V Gleichspannung
  • Spannungen von 4V bis 100V
  • IR 25ยฐC/Un 10โดMฮฉ / 500ฮฉ-Farad, je nachdem, welcher Wert niedriger ist*
  • Dielektrikum X7S
  • Arbeitstemperaturen von -55ยฐC bis +125ยฐC
  • RARA

RARA FRH 25C

  • Metallummantelter Dickschichtwiderstand
  • Widerstandsbereich von 1kฮฉ bis 2Mฮฉ
  • Max. Nennleistung von 15W
  • Zementierter Widerstand im Aluminiumgehรคuse
  • Kurzzeitige รœberlast von 2 x Nennleistung betrรคgt 5 Sekunden
  • Hohe Stabilitรคt bei konventionellen Nennleistungen
  • Temperaturbereich von -55ยฐC bis zu +250ยฐC
  • RARA

RARA FRH 50C

  • Metallummantelter Dickschichtwiderstand
  • Widerstandsbereich von 1kฮฉ bis 2Mฮฉ
  • Max. Nennleistung von 25W
  • Zementierter Widerstand im Aluminiumgehรคuse
  • Kurzzeitige รœberlast von 2 x Nennleistung betrรคgt 5 Sekunden
  • Hohe Stabilitรคt bei konventionellen Nennleistungen
  • Temperaturbereich von -55ยฐC bis zu +250ยฐC
  • RARA

RARA HPS

rara_hps_product_image
  • Hochleistungs-Prรคzisions-Nebenschlusswiderstand
  • Widerstandsbereich von 0,001ฮฉ bis 0,01ฮฉ *
  • Toleranzen von ยฑ0,05% bis ยฑ1%
  • TCR von ยฑ5ppm/โ„ƒ, ยฑ10ppm/โ„ƒ *
  • Leistungsaufnahme von 250 W (auf einem geeigneten Kรผhlkรถrper)
  • Temperaturbereich von -55ยฐC bis +100ยฐC
  • RARA

RARA IRB60

  • Metallummantelter drahtgewickelter Sparwiderstand
  • Induktiver Widerstand zwischen 0,1ฮฉ und 270ฮฉ
  • Nicht-induktiver Widerstand zwischen 0,1ฮฉ und 56ฮฉ
  • Leistungsfรคhigkeit von 60W
  • Isolationswiderstand von mindestens 20 Mฮฉ
  • Kurzzeitige รœberlast von 5 x Nennleistung betrรคgt 5 Sekunden
  • RARA

RARA IRB80

  • Metallummantelter drahtgewickelter Sparwiderstand
  • Induktiver Widerstand zwischen 0,1ฮฉ und 910ฮฉ
  • Nicht-induktiver Widerstand zwischen 0,1ฮฉ und 110ฮฉ
  • Leistungsfรคhigkeit von 80W
  • Isolationswiderstand von mindestens 20 Mฮฉ
  • Kurzzeitige รœberlast von 10 x Nennleistung betrรคgt 5 Sekunden
  • RARA

RARA IRB120

  • Metallummantelter drahtgewickelter Sparwiderstand
  • Induktiver Widerstand zwischen 0,1ฮฉ und 1,3kฮฉ
  • Nicht-induktiver Widerstand zwischen 0,1ฮฉ und 300ฮฉ
  • Leistungsfรคhigkeit von 120W
  • Isolationswiderstand von mindestens 20 Mฮฉ
  • Kurzzeitige รœberlast von 10 x Nennleistung betrรคgt 5 Sekunden
  • RARA

RARA IRF100

RARA IRN/ULN/IRF/ULF Flat Type Metal Clad Wire Wound Resistors
  • Flachdrahtwiderstand mit Metallummantelung
  • Widerstandsoptionen von 1ฮฉ bis zu 1,1kฮฉ
  • Leistungsfรคhigkeit von 100 W (auf einem Kรผhlkรถrper)
  • Toleranzoptionen zwischen ยฑ0,5% und ยฑ10,0%
  • TCR von maximal +260 ppm/ยฐC
  • Fรผr die UL-Zulassung siehe die ULF-Serie

Merit Sensor RSH Serie

  • โ€‹Unkompensierter Drucksensor mit MEMS-Die-auf-Druckport-Design.
  • Kompatibel mit feuchten und aggressiven Medien.
  • Geeignet fรผr groรŸe Temperatur- und Druckbereiche.
  • Druckbereich 0 bis 500 psi (absolut oder relativ).
  • Betriebstemperaturbereich -40ยฐC bis 150ยฐC

Merit Sensor TRVF Serie

  • Vollstรคndig kompensierter Drucksensor.
  • Berรผhrte Materialien wie Silizium, Glas und Keramik erhรถhen die Kompatibilitรคt mit aggressiven Medien.
  • Kompakt und leicht, mit einem Gewicht von etwa 1,35 Gramm.
  • Entwickelt zur Messung von Druck in Luft, Gasen und Flรผssigkeiten.
  • Druckbereich von 1 bis 300 psi verfรผgbar (absolut oder relativ).
  • Betriebstemperaturbereich von -40ยฐC bis 150ยฐC.

RARA SMW Serie

  • Hochleistungs-Drahtwiderstรคnde zur Oberflรคchenmontage
  • Verfรผgbare Leistungsstufen: 2W, 3W und 5W
  • GroรŸer Widerstandsbereich: 0,1ฮฉ bis 500ฮฉ
  • Prรคzise Toleranzen: ยฑ1 % & ยฑ5 %
  • Temperaturkoeffizient: 200 ppm/ยฐC
  • Flammhemmendes UL94V0-gehรคuse fรผr hohe Sicherheit

Cissoid CMT-PLA3SB12340A wรผrde auf Deutsch als Cissoid CMT-PLA3SB12340A รผbersetzt.

  • Siliziumkarbid (SiC) MOSFET Intelligent Power Modul
  • 3-Phasen-Wechselrichter mit antiparallelen Dioden
  • Drain-to-Source Durchbruchspannung von 1200V
  • Maximaler Dauerstrom von 340A/260A bei Tc=25ยฐC/90ยฐC
  • Niedriger Einschaltwiderstand von typisch 3,25 mฮฉ
  • Junctionstemperatur: -40ยฐC bis +175ยฐC

SRT Microcรฉramique Niederspannung Hohe Kapazitรคt X7R Kondensatoren

  • Hohe Kapazitรคt SMD Kondensatoren
  • Kapazitรคt von 1,0ยตF bis 47ยตF
  • TCR von ยฑ15% bei 0V Gleichstrom
  • Spannungen von 4V bis 100V
  • IR 25ยฐC/Un 10โดMฮฉ / 500ฮฉ-Farad, je nachdem, welcher Wert kleiner ist *
  • Dielektrikum X7R
  • Betriebstemperaturen von -55ยฐC bis +125ยฐC **

SRT Microcรฉramique Niederspannung Hohe Kapazitรคt X6S Kondensatoren

  • Hochkapazitive SMD-Kondensatoren
  • Kapazitรคt von 1,0ยตF bis 330ยตF
  • Temperaturkoeffizient von ยฑ22% bei 0V DC angelegt
  • Spannungen von 2,5V bis 50V
  • Isolationswiderstand 25ยฐC/Un 10โดMฮฉ / 500ฮฉ-Farad je nachdem, was niedriger ist *
  • Dielektrikum X6S
  • Betriebstemperaturen von -55ยฐC bis +105ยฐC

SRT Microcรฉramique Niederspannung Hohe Kapazitรคt X7T Kondensatoren

  • Hochkapazitive SMD-Kondensatoren
  • Kapazitรคt von 1,0 ยตF bis 100 ยตF
  • Temperaturkoeffizient des Widerstands von +22% -33% bei 0 V Gleichspannung angelegt
  • Spannungsbereich von 2,5 V bis 100 V
  • IR 25ยฐC/Un 10โดMฮฉ / 500ฮฉ-Farad, je nachdem welcher Wert kleiner ist *
  • Dielektrikum X7T
  • Betriebstemperaturen von -55ยฐC bis +125ยฐC

SRT Microcรฉramique Niederspannungs Hochkapazitรคts X5R Kondensatoren

  • Hochkapazitive SMD-Kondensatoren
  • Kapazitรคt von 1,0ยตF bis 330ยตF
  • TCR von ยฑ15% bei 0V Gleichspannung
  • Spannungen von 4V bis 50V
  • IR 25ยฐC/Un 10โดMฮฉ / 500ฮฉ-Farad, je nachdem, welcher Wert niedriger ist *
  • Dielektrikum X5R
  • Betriebstemperaturen von -55ยฐC bis +85ยฐC

SRT Microcรฉramique Niederspannungs Hochkapazitรคts X7S Kondensatoren

  • SMD-Kondensatoren mit hoher Kapazitรคt
  • Kapazitรคt von 1,0 ยตF bis 100 ยตF
  • TCR von ยฑ22 % bei 0V Gleichspannung
  • Spannungen von 4V bis 100V
  • IR 25ยฐC/Un 10โดMฮฉ / 500ฮฉ-Farad, je nachdem, welcher Wert niedriger ist*
  • Dielektrikum X7S
  • Arbeitstemperaturen von -55ยฐC bis +125ยฐC

RARA FRH 25C

  • Metallummantelter Dickschichtwiderstand
  • Widerstandsbereich von 1kฮฉ bis 2Mฮฉ
  • Max. Nennleistung von 15W
  • Zementierter Widerstand im Aluminiumgehรคuse
  • Kurzzeitige รœberlast von 2 x Nennleistung betrรคgt 5 Sekunden
  • Hohe Stabilitรคt bei konventionellen Nennleistungen
  • Temperaturbereich von -55ยฐC bis zu +250ยฐC

RARA FRH 50C

  • Metallummantelter Dickschichtwiderstand
  • Widerstandsbereich von 1kฮฉ bis 2Mฮฉ
  • Max. Nennleistung von 25W
  • Zementierter Widerstand im Aluminiumgehรคuse
  • Kurzzeitige รœberlast von 2 x Nennleistung betrรคgt 5 Sekunden
  • Hohe Stabilitรคt bei konventionellen Nennleistungen
  • Temperaturbereich von -55ยฐC bis zu +250ยฐC

RARA HPS

  • Hochleistungs-Prรคzisions-Nebenschlusswiderstand
  • Widerstandsbereich von 0,001ฮฉ bis 0,01ฮฉ *
  • Toleranzen von ยฑ0,05% bis ยฑ1%
  • TCR von ยฑ5ppm/โ„ƒ, ยฑ10ppm/โ„ƒ *
  • Leistungsaufnahme von 250 W (auf einem geeigneten Kรผhlkรถrper)
  • Temperaturbereich von -55ยฐC bis +100ยฐC

RARA IRB60

  • Metallummantelter drahtgewickelter Sparwiderstand
  • Induktiver Widerstand zwischen 0,1ฮฉ und 270ฮฉ
  • Nicht-induktiver Widerstand zwischen 0,1ฮฉ und 56ฮฉ
  • Leistungsfรคhigkeit von 60W
  • Isolationswiderstand von mindestens 20 Mฮฉ
  • Kurzzeitige รœberlast von 5 x Nennleistung betrรคgt 5 Sekunden

RARA IRB80

  • Metallummantelter drahtgewickelter Sparwiderstand
  • Induktiver Widerstand zwischen 0,1ฮฉ und 910ฮฉ
  • Nicht-induktiver Widerstand zwischen 0,1ฮฉ und 110ฮฉ
  • Leistungsfรคhigkeit von 80W
  • Isolationswiderstand von mindestens 20 Mฮฉ
  • Kurzzeitige รœberlast von 10 x Nennleistung betrรคgt 5 Sekunden

RARA IRB120

  • Metallummantelter drahtgewickelter Sparwiderstand
  • Induktiver Widerstand zwischen 0,1ฮฉ und 1,3kฮฉ
  • Nicht-induktiver Widerstand zwischen 0,1ฮฉ und 300ฮฉ
  • Leistungsfรคhigkeit von 120W
  • Isolationswiderstand von mindestens 20 Mฮฉ
  • Kurzzeitige รœberlast von 10 x Nennleistung betrรคgt 5 Sekunden

RARA IRF100

  • Flachdrahtwiderstand mit Metallummantelung
  • Widerstandsoptionen von 1ฮฉ bis zu 1,1kฮฉ
  • Leistungsfรคhigkeit von 100 W (auf einem Kรผhlkรถrper)
  • Toleranzoptionen zwischen ยฑ0,5% und ยฑ10,0%
  • TCR von maximal +260 ppm/ยฐC
  • Fรผr die UL-Zulassung siehe die ULF-Serie

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